--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
VBsemi的060P03NS3E-VB是一款DFN8(5X6)封装的单通道P沟道MOSFET,具有-30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负)和-3V的阈值电压(Vth)。该器件采用沟道工艺,具有在VGS=4.5V时RDS(ON)为6mΩ和在VGS=10V时RDS(ON)为4mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流(ID)为-120A,表示为负数表示流向。这种MOSFET是P沟道类型的,所以在工作时需要注意其负向电压。
### 参数说明:
- **器件类型**:单通道P沟道MOSFET
- **封装**:DFN8(5X6)
- **VDS(漏极-源极电压)**:-30V
- **VGS(栅极-源极电压)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=4.5V, 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:-120A
- **工艺**:沟道
### 适用领域和模块举例:
1. **电源逆变器模块**:由于其负向漏极电压和低导通电阻,060P03NS3E-VB适用于电源逆变器模块,如各种类型的逆变器和开关电源,提供高效的电源控制。
2. **电动汽车充电模块**:在电动汽车充电系统中,这款MOSFET可用于控制充电桩的电能输出,实现高效、安全的电动汽车充电。
3. **电源开关模块**:作为电源开关器件,该MOSFET可用于各种电源开关应用,如开关电源和电源管理系统,实现高效的电源控制和管理。
4. **LED照明驱动模块**:在LED照明驱动应用中,060P03NS3E-VB可用于开关电源,控制LED的亮度和电流,实现节能和可调光效果。
以上是对060P03NS3E-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。
为你推荐
-
08CN10N-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管2024-07-03 17:28
产品型号:08CN10N-VB TO263 封装:TO263封装 沟道:N-Channel -
08CN10N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-03 17:27
产品型号:08CN10N-VB TO220 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
08CN10L-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-03 17:26
产品型号:08CN10L-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
088N06N-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管2024-07-03 17:24
产品型号:088N06N-VB 封装:TO252封装 沟道:N-Channel -
088N04L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管2024-07-03 17:23
产品型号:088N04L-VB 封装:TO252封装 沟道:N-Channel -
088N03M-VB一种N-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管2024-07-03 17:22
产品型号:088N03M-VB 封装:DFN8(3X3)封装 沟道:N-Channel -
088N03L-VB一种N-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管2024-07-03 17:20
产品型号:088N03L-VB 封装:DFN8(3X3)封装 沟道:N-Channel -
086P3N-VB一种P-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管2024-07-03 17:19
产品型号:086P3N-VB 封装:DFN8(3X3)封装 沟道:P-Channel -
086N10N-VB TO262一种N-Channel沟道TO262封装MOS管2024-07-03 17:16
产品型号:086N10N-VB TO262 封装:TO262封装 沟道:N-Channel -
086N10N-VB TO220F一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-03 17:15
产品型号:086N10N-VB TO220F 封装:O220F封装 沟道:N-Channel