**产品简介：**
VBsemi的06N60C3-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术，适用于各种应用。该器件具有高漏极电压、适中的导通电阻和电流，适用于要求中等功率和高电压的电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。
**详细参数说明：**
- **型号：** 06N60C3-VB
- **封装：** TO220
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 600V
- **门源电压（VGS）：** 30V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 1070mΩ @ VGS=4.5V；780mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 8A
- **技术：** 平面技术
**应用示例：**
- **电源：** 该MOSFET可用于中等功率和高电压的开关模式电源中，以稳定和调节电压。
- **DC-DC转换器：** 用于DC-DC转换器电路中，以实现不同电压级之间的转换。
- **电机控制：** 可用于中等功率电机控制电路，以调节和控制电机的转速。
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