--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
VBsemi的06N80C3-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于800V的高压工作环境。它具有较低的导通电阻和适当的电流承载能力,适合在需要高压、低功耗的电路中使用。
### 2. 参数说明
- **封装**:TO252
- **VDS**:800V
- **VGS**:30V(±)
- **阈值电压**:3.5V
- **导通电阻**:770mΩ @ VGS=10V
- **最大电流**:7A
### 3. 应用领域和模块示例
- **工业电源**:06N80C3-VB适用于需要高压稳定输出的工业电源模块。例如,它可以用于工业设备、高压灯具等领域,提供稳定可靠的电源输出。
- **电动车充电桩**:在电动车充电桩中,这款MOSFET可以用于功率控制,实现高压输电和充电控制。
- **太阳能逆变器**:这款MOSFET也适用于太阳能逆变器等领域,以实现高压输出和转换效率,为太阳能系统提供可靠的能源转换。
这些示例说明了06N80C3-VB在高压、低功耗电路中的适用性,展示了其在各种应用场景中的价值和应用潜力。
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