### 1. 产品简介
**76129S-VB TO263 MOSFET**
76129S-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Trench技术，具有低导通电阻和高电流特性，适用于需要高效能和低压降的功率控制和开关应用。
### 2. 参数说明
- **包装形式：** TO263
- **通道配置：** 单N沟道
- **耐压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **门阈电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 50A
- **技术特性：** Trench
### 3. 应用示例
76129S-VB TO263 MOSFET适用于以下领域和模块：
- **电源管理：** 在低电压电源系统中，作为开关电源调节器和DC-DC转换器的功率开关器件，用于提供高效能的电能转换和稳定的电压输出。
- **电动工具和电动车辆：** 在电动工具、电动自行车和小型电动车辆的电机驱动控制中，支持高电流输出和快速动态响应，提高设备的动力性能和能效。
- **服务器和数据中心：** 用作服务器和数据中心中的电源管理和功率分配系统中的关键部件，确保高效的数据处理和能源利用率。
76129S-VB TO263 MOSFET因其高电流容量和低导通电阻，特别适用于需要高功率密度和高效率的电子设备和系统中，如电源供应、电动驱动和数据中心应用。
