### 产品简介
9468GJ-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了先进的Trench技术，封装在TO251中。具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适用于要求高功率密度和高效率的功率开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 9468GJ-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **电动车辆**
- 在电动汽车和混合动力车辆中，9468GJ-VB 可以用作驱动电机的功率开关元件。其低导通电阻和高电流容量能够支持高功率输出和快速响应的电机控制，提升车辆的动力性能和能效。
2. **电源逆变器**
- 这款MOSFET 可以在各种电源逆变器中使用，包括太阳能逆变器、UPS系统和工业电源设备。其优异的导通特性和稳定的性能使其能够实现高效率的能量转换和长期可靠的运行。
3. **工业电源系统**
- 在工业控制和自动化领域，9468GJ-VB 可以用于电源管理和驱动电路中，包括电机控制、电源转换和功率调节。其高电流承载能力和优秀的热特性确保设备在高负载和恶劣环境下的稳定运行。
4. **服务器和数据中心**
- 在服务器和数据中心的电源分配和管理系统中，这款MOSFET 可以用于高效率和高功率密度的功率转换器。其低阻抗和高电流能力有助于提高电能利用率和降低运行成本。
通过以上应用领域的例子，可以看出9468GJ-VB MOSFET 在电动车辆、电源逆变器、工业电源系统和数据中心等领域中展示了其优异的性能和广泛的应用潜力。
