--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**产品型号:** 9466GS-VB
**封装形式:** TO263
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** Trench技术
9466GS-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,设计用于中功率应用,具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 二、详细参数说明
- **VDS(漏源极电压):** 40V
- **VGS(栅源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 2.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流):** 100A
### 三、应用领域及模块举例
9466GS-VB MOSFET适用于多种中功率和高性能的电子设备和系统中,具体应用包括但不限于:
- **电动工具和电动车辆:** 在电动机驱动系统中,9466GS-VB可以作为电机控制的主要开关元件,支持高功率输出和长时间运行。
- **电源管理模块:** 在DC-DC转换器和开关电源中,该MOSFET能够提供高效率的电能转换和低功耗操作。
- **电池管理系统(BMS):** 作为电池保护电路中的关键元件,确保电池充放电过程的安全和高效率。
- **功率供应模块:** 用于工业自动化设备、服务器和通信设备中的功率供应模块,保证设备的稳定运行和高效能。
综上所述,9466GS-VB MOSFET由于其高电流承载能力、低导通电阻和适应中功率应用的特性,适用于广泛的电子应用领域,特别是那些对功率密度和能效要求较高的场合。
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