--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**型号:** 76132S-VB
**封装:** TO263
**配置:** 单N沟道
**耐压(VDS):** 30V
**栅极-源极电压(VGS):** ±20V
**门槽电压阈值(Vth):** 1.7V
**导通电阻(RDS(ON)):** 8mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
**漏极电流(ID):** 70A
**技术:** Trench
### 2. 参数说明
- **耐压(VDS):** 30V 表示该器件可以承受的最高工作电压,适合低电压应用。
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V 是控制器件导通和关断的电压范围。
- **门槽电压阈值(Vth):** 1.7V 是控制器件开始导通的门槽电压,较低的阈值有助于在低电压下实现快速开关。
- **导通电阻(RDS(ON)):** 8mΩ @ VGS=4.5V 和 6mΩ @ VGS=10V 分别表示在给定的栅极-源极电压下,器件导通时的电阻。低导通电阻有助于减少功率损耗和提高效率。
- **漏极电流(ID):** 70A 是器件可以持续通过的最大电流,适合高电流应用场景。
- **技术:** Trench 表示器件采用了沟槽结构制造技术,通常能提供较低的导通电阻和更好的热特性。
### 3. 应用示例
**领域和模块适用性示例:**
1. **电源管理模块:** 76132S-VB 可以用作低压、高效率的电源开关,适合于笔记本电脑和便携式电子设备的电源管理模块。
2. **电动工具和电动车辆:** 在电动工具和电动车辆的驱动系统中,该器件能够提供高效能的电机控制和电池管理。
3. **电源分配单元:** 适用于服务器和通信设备中的电源分配单元,支持高性能和稳定的电力转换。
4. **充电器和逆变器:** 在各种类型的充电器和逆变器中,使用该器件可以实现高效率的能量转换和稳定的电源输出。
5. **LED驱动和照明系统:** 76132S-VB 可以作为LED驱动器和照明系统中的开关元件,帮助实现高亮度和节能的照明解决方案。
这些示例突显了76132S-VB 在各种低电压、高电流应用中的广泛应用,利用其优异的性能特征,支持多个领域的高效能电子设备和系统。
为你推荐
-
9469GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:48
产品型号:9469GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9468GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:46
产品型号:9468GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
9468GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:44
产品型号:9468GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
9468GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:42
产品型号:9468GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9467GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:40
产品型号:9467GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
9467GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:37
产品型号:9467GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9467AGH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:34
产品型号:9467AGH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9466GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:31
产品型号:9466GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
9466GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:29
产品型号:9466GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
9466GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-25 11:27
产品型号:9466GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N