--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介详述:
MOSFET型号:76439S-VB
封装:TO263
构型:单N沟道
耐压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):1.7V
导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
漏极电流(ID):75A
技术:Trench
### 详细参数说明:
- **封装类型**:TO263,适合高功率密度应用,具有良好的散热性能和电压容忍度。
- **构型**:单N沟道设计,通过Trench技术优化,提供低导通电阻和高效的电气特性。
- **耐压**:60V,适合中高电压应用,如电源管理和电动工具驱动等。
- **栅极驱动**:支持±20V的栅极-源极电压,提供灵活的控制范围和稳定的性能。
- **阈值电压**:1.7V,确保在适当的电压下有效开启和关闭。
- **导通电阻**:12mΩ @ VGS=4.5V 和 11mΩ @ VGS=10V,极低的导通电阻带来更低的开关损耗和更高的效率。
- **漏极电流**:75A,能够处理高功率负载的要求,适合需要大电流驱动的应用场景。
### 应用示例:
1. **电动工具**:用于电动工具中的电机驱动和电池管理单元,确保高效的能源转换和长时间使用。
2. **电动车辆**:作为电动车辆中电池管理和电机控制系统的一部分,提供稳定的动力输出和高效的电能利用率。
3. **服务器和数据中心**:用于服务器和数据中心的电源管理单元,保证稳定的电源转换和高效的能源管理。
4. **工业自动化**:在工业控制系统中,用于驱动和控制高功率设备和机器,确保稳定的操作和高效的能源利用。
5. **电源逆变器**:用于电源逆变器中的功率开关和控制单元,实现高效的能源转换和低损耗的电路设计。
以上示例展示了76439S-VB TO263 MOSFET在电动工具、电动车辆、服务器数据中心、工业自动化和电源逆变器等领域中的应用潜力和优异性能。
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