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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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76439S-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 76439S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介详述:

MOSFET型号:76439S-VB  
封装:TO263  
构型:单N沟道  
耐压(VDS):60V  
栅极-源极电压(VGS):±20V  
阈值电压(Vth):1.7V  
导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V  
漏极电流(ID):75A  
技术:Trench  

### 详细参数说明:

- **封装类型**:TO263,适合高功率密度应用,具有良好的散热性能和电压容忍度。
 
- **构型**:单N沟道设计,通过Trench技术优化,提供低导通电阻和高效的电气特性。

- **耐压**:60V,适合中高电压应用,如电源管理和电动工具驱动等。

- **栅极驱动**:支持±20V的栅极-源极电压,提供灵活的控制范围和稳定的性能。

- **阈值电压**:1.7V,确保在适当的电压下有效开启和关闭。

- **导通电阻**:12mΩ @ VGS=4.5V 和 11mΩ @ VGS=10V,极低的导通电阻带来更低的开关损耗和更高的效率。

- **漏极电流**:75A,能够处理高功率负载的要求,适合需要大电流驱动的应用场景。

### 应用示例:

1. **电动工具**:用于电动工具中的电机驱动和电池管理单元,确保高效的能源转换和长时间使用。

2. **电动车辆**:作为电动车辆中电池管理和电机控制系统的一部分,提供稳定的动力输出和高效的电能利用率。

3. **服务器和数据中心**:用于服务器和数据中心的电源管理单元,保证稳定的电源转换和高效的能源管理。

4. **工业自动化**:在工业控制系统中,用于驱动和控制高功率设备和机器,确保稳定的操作和高效的能源利用。

5. **电源逆变器**:用于电源逆变器中的功率开关和控制单元,实现高效的能源转换和低损耗的电路设计。

以上示例展示了76439S-VB TO263 MOSFET在电动工具、电动车辆、服务器数据中心、工业自动化和电源逆变器等领域中的应用潜力和优异性能。

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