--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
B1608L-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET,封装为 TO263。它采用 Trench 技术,具备 60V 的漏极源极电压(VDS)和 150A 的连续漏极电流(ID)。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 4mΩ,提供极低的开关损耗和高效能。阈值电压(Vth)为 3V,VGS 范围为 ±20V,确保该 MOSFET 在各种电压条件下稳定运行。
### 详细参数说明
- **型号**: B1608L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
B1608L-VB 适用于以下领域和模块:
1. **高功率电源管理**: 用于高功率电源转换器和电源模块中,提供低导通阻抗和高电流承载能力。
2. **电动汽车**: 适用于电动汽车的电动机控制系统,作为高电流开关控制电动机的操作。
3. **电源保护电路**: 在电源保护电路中应用,快速断开过载电流,提供可靠的保护功能。
4. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器中使用,提升转换效率并减少能量损耗。
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