--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
B16NF06L-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET,封装类型为 TO263。此 MOSFET 能承受高达 60V 的漏源电压,并具有高达 50A 的漏极电流处理能力。采用 Trench 工艺,具有较低的导通电阻,适用于多种高效能应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B16NF06L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench 工艺
### 适用领域和模块
B16NF06L-VB 适用于以下领域:
1. **电源管理**: 在开关电源和 DC-DC 转换器中使用,以实现高效能和低功耗的电源开关功能。
2. **汽车电子**: 适合用于汽车电子系统中的高电流应用,如电动座椅控制和灯光管理系统。
3. **消费电子**: 用于智能家居设备和便携式电子产品中,实现高效的电源调节和控制。
4. **工业控制**: 在工业自动化和控制系统中作为高效能的开关元件,提供可靠的电流控制和功率开关功能。
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