--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
B16PF06L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封装为 TO263,设计用于中高电压和电流应用。该 MOSFET 提供 60V 的漏源电压(VDS)和 50A 的最大漏极电流(ID),在 VGS 为 4.5V 和 10V 时,其导通电阻(RDS(on))分别为 35mΩ 和 32mΩ。采用 Trench 技术,B16PF06L-VB 具有较低的导通阻抗和良好的开关特性,适合于高效能和低功耗的电子设备。
**详细参数说明:**
- **型号**: B16PF06L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 35mΩ(VGS=4.5V 时)
- 32mΩ(VGS=10V 时)
- **最大漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例:**
1. **电源管理系统 (Power Management Systems)**: 由于其较低的导通电阻,B16PF06L-VB 适用于电源管理系统,帮助提高系统效率和减少功率损耗。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车中,这款 MOSFET 适用于电池管理和电动控制模块,提供稳定的电流处理能力和高效能。
3. **工业电机驱动 (Industrial Motor Drives)**: 适合用于工业电机驱动系统,能够处理高电流并提供可靠的开关控制,提升系统的整体性能。
4. **高效开关电源 (Efficient Switching Power Supplies)**: B16PF06L-VB 在高效开关电源中表现优异,低导通电阻有助于提升转换效率,并减少热量产生。
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