--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介**
B20NK50Z-VB是一款高电压、高性能的单N通道场效应晶体管(MOSFET),采用TO-263封装和SJ_Multi-EPI技术。此器件设计用于高电压应用,能够处理高达650V的漏源电压,同时具有20A的最大漏电流。其低导通电阻和高耐压性能使其在高功率和高电压条件下表现出色。
**详细参数说明**
- **型号**:B20NK50Z-VB
- **封装**:TO-263
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**:650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:160mΩ@V_GS=10V
- **最大漏电流 (I_D)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI工艺
**应用领域和模块**
1. **高压电源转换器**:B20NK50Z-VB适用于高电压DC-DC转换器和AC-DC电源供应系统,能够有效处理高电压和高功率负载,提高系统的效率和稳定性。
2. **电力逆变器**:在电力逆变器应用中,此MOSFET能处理650V的高电压,适合用于太阳能逆变器和风能逆变器,提升转换效率和可靠性。
3. **工业电源管理**:用于工业设备中的电源管理系统,提供高电压耐受能力和稳定的开关性能,尤其适合要求高电压处理的场合。
4. **电动汽车充电系统**:在电动汽车的充电系统中,该MOSFET能够处理高电压输入,保证充电过程的安全性和高效性。
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