--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**B20NM50-VB** 是一款单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,具备高耐压和相对较低的导通电阻,适合高电压和高功率应用。这款MOSFET提供可靠的高电压开关性能,适用于各种电力电子和能源管理系统。
### 参数说明
- **型号**:B20NM50-VB
- **封装**:TO263
- **配置**:单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
**B20NM50-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异:
1. **高压开关电源**:适合用于高压开关电源中,能够处理高电压负载,同时保持较低的导通电阻,提升电源效率和稳定性。
2. **逆变器**:在逆变器应用中,这款MOSFET 能够承受高电压,提供稳定的电力转换性能,适用于太阳能和风能逆变器。
3. **工业电源管理**:用于高电压电源管理系统,能够在高电压环境下提供可靠的开关功能,确保系统的稳定性和性能。
4. **电机驱动系统**:在高电压电机驱动应用中,B20NM50-VB 可以提供有效的电力开关管理,支持高电压下的电机高效运行。
5. **电力转换设备**:适用于各种高功率电力转换设备,能处理高电压负载,保证设备的可靠性和高效性。
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