--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
B20NM60-VB 是一款高电压、高性能单极 N 通道 MOSFET,封装为 TO263。它采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,具备 650V 的漏极源极电压(VDS)和 15A 的连续漏极电流(ID)。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 300mΩ,适合用于高电压和高功率应用。阈值电压(Vth)为 3.5V,VGS 范围为 ±30V,确保其在极端电压条件下的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: B20NM60-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 300mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
B20NM60-VB 适用于以下领域和模块:
1. **高电压电源管理**: 用于高电压电源转换器和电源模块中,提供高电压耐受能力和可靠的开关性能。
2. **开关电源**: 在开关电源中作为开关元件,处理高电压电流,保障电源系统的稳定性。
3. **功率逆变器**: 在功率逆变器中使用,帮助高效转换直流电源到交流电源,适用于光伏发电系统和其他高功率应用。
4. **工业控制**: 在工业设备和电气控制系统中作为高电压开关,提供高效的控制和保护功能。
为你推荐
-
BSC12DN20NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:32
产品型号:BSC12DN20NS3 G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC123N10LS G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:31
产品型号:BSC123N10LS G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC123N08NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:30
产品型号:BSC123N08NS3 G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC120N03MS G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:28
产品型号:BSC120N03MS G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC120N03LS G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:27
产品型号:BSC120N03LS G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC119N03S-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:26
产品型号:BSC119N03S-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
BSC119N03S G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:25
产品型号:BSC119N03S G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC118N10NS G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:24
产品型号:BSC118N10NS G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC110N06NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:23
产品型号:BSC110N06NS3 G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
BSC106N025S G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-08 17:22
产品型号:BSC106N025S G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N