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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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B21NM50N-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: B21NM50N-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号**: B21NM50N-VB  
**封装**: TO263  
**配置**: 单极性N沟道MOSFET  
**耐压**: 650V  
**门源电压**: ±30V  
**阈值电压**: 3.5V  
**导通电阻**: 160mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏电流**: 20A  
**技术**: SJ_Multi-EPI

### 详细参数说明

- **型号**: B21NM50N-VB  
- **封装类型**: TO263  
- **配置**: 单N沟道MOSFET  
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 650V  
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±30V  
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V  
- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 160mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏电流 (I_D)**: 20A  
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域与模块示例

1. **高压开关电源**  
  B21NM50N-VB 的高耐压能力和稳定性使其适用于高压开关电源中,用于处理高电压和高功率,提供高效的电源转换和保护。

2. **逆变器**  
  由于其高耐压和适中的导通电阻,该MOSFET 可用于逆变器中,帮助将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能逆变器和工业逆变器。

3. **功率控制系统**  
  在各种功率控制系统中,如电机驱动和工业设备,B21NM50N-VB 的高电压承受能力能够提供可靠的开关功能和稳定的功率控制。

4. **焊接设备**  
  该MOSFET 的高耐压和功率处理能力使其适合用于焊接设备中的开关元件,确保高电压操作时的稳定性和安全性。

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