--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**B254L-VB** 是一款单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263。该器件采用Trench技术,提供高电流承载能力和相对较低的导通电阻,适用于中高电压的电力电子应用。B254L-VB 旨在提高开关效率和减少功耗,特别适合需要较高电压和电流的场合。
### 参数说明
- **型号**:B254L-VB
- **封装**:TO263
- **配置**:单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:150V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:35mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:45A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块
**B254L-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异:
1. **开关电源**:由于其高耐压和适中的导通电阻,B254L-VB 适合用于开关电源中,能够在中高电压环境下有效提高开关效率并减少功耗。
2. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器应用中,该MOSFET 可以处理中等电压和高电流,确保稳定的电源转换性能。
3. **电机驱动系统**:适用于电机驱动电路,能够处理高电流负载,同时保持较低的导通电阻,提升电机驱动的整体效率。
4. **电力管理系统**:在电力管理系统中,该MOSFET 可用于高电压负载开关和电源调节,支持高效电力转换和管理。
5. **工业自动化**:适合用于工业自动化设备中的电源开关,能在高电压和高电流条件下提供可靠的性能,保证系统的稳定运行。
为你推荐
-
BSH204-VB一款Single-P沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:26
产品型号:BSH204-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-P -
BSH121-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:24
产品型号:BSH121-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSH112-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:23
产品型号:BSH112-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSH111-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:20
产品型号:BSH111-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSH107-VB一款Single-N沟道SC70-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:18
产品型号:BSH107-VB 封装:SC70-6 沟道:Single-N -
BSH101-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:16
产品型号:BSH101-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSD840N-VB一款Dual-N+N沟道SC70-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:14
产品型号:BSD840N-VB 封装:SC70-6 沟道:Dual-N+N -
BSD235N-VB一款Dual-N+N沟道SC70-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:13
产品型号:BSD235N-VB 封装:SC70-6 沟道:Dual-N+N -
BSD235C-VB一款Dual-N+P沟道SC70-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:05
产品型号:BSD235C-VB 封装:SC70-6 沟道:Dual-N+P -
BSC900N20NS3 G-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-09 11:03
产品型号:BSC900N20NS3 G-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N