博捷芯半导体

动态

• 发布了文章 2022-10-19 15:35

  博捷芯：芯片尺寸越做越小，晶圆划片刀的选择至关重要

  

  随着终端电子产品往多功用化、智能化和小型化方向开展，芯片尺寸越做越小，留给晶圆划片机的空间越来越小，既要保证足够的良品率，又要确保加工效率，这对晶圆划切刀片以及划片工艺是不小的应战。从划片刀自身的制造来看，影响刀片性能乃至影响晶圆划片的几个重要要素是：金刚石颗粒大小、颗粒集中度、分离剂强度、刀片厚度、刀片长度、修刀工艺。本文主要剖析这几个要素的影响作用，协助

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• 发布了文章 2022-10-08 14:40

  博捷芯划片机:不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺

  

  晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成

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• 发布了文章 2022-08-19 14:06

  半导体划片机的三种切割方式

  

  划片机的种类主要分为三种：分别是全自动划片、半自动划片（包含自动识别、手动识别）、手动划片。具体功能如下：全自动划片：是指在完成加工物模板教学的前提下，设备将对工作台上的加工物自动上料，自动识别，自动清洗，依据切割参数的设定，沿多个切割向连续地进行切割。半自动划片：对工作台上的加工物（确定切割位置）后，依据切割参数的设定，可进行自动识别或手动识别，沿多个切割

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• 发布了文章 2022-08-10 13:58

  划片机操作安全注意事项

  

  精密划片机是一种综合了电力、压缩空气、冷却水、气浮高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备。在安装、调试、使用、保养、维修等操作之前，必须确认下列安全信息、操作规程以及注意事项。一、设备的安装与调试1、划片机的四周必须保留不小于0.5米的无障碍空间，方便操作及维修人员进行生产操作、保养和检修。2、划片机应安装在无明显震动、无腐蚀性气体、

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• 发布了文章 2022-07-26 10:31

  精密划片机:半导体材料在芯片生产制造过程中的关键性作用

  

  半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节，在芯片制造过程中起着关键作用。半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。其中，基体材料主要用于制造硅晶圆或化合物半导体；制造材料主要是将硅晶圆或化合物半导体加工成芯片所需的各种材料；包装材料是包装和切割芯片时使用的材料。本文主要介绍了半导体制造和密封测试中涉及的主要半导体材料。基体材料根据芯片材料的不同，基体材

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• 发布了文章 2022-07-19 13:40

  划片机：晶圆加工第八篇—半导体芯片封装完结篇

  

  封装经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片（又称“单个晶片”）。下面要做的就是通过切割获得单独的芯片。刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，需要单独进行处理。这一处理过程就是封装，包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。整个封装制程分为五步，即晶圆锯切、单个晶片附着、互连、成型和封装测试。1、晶圆锯切要想从晶圆上切出无数致

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• 发布了文章 2022-07-18 14:05

  国内陆芯划片机：晶圆加工第七篇—如何对半导体芯片进行测试

  

  测试测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外，经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤，有助于节省成本和时间。电子管芯分选(EDS)就是一种针对晶圆的测试方法。EDS是一种检验晶圆状态中各芯片的电气特性并由此提升半导体良率的工艺。EDS可分为五步，具体如下：1、电气参数监控(EPM)EPM是半导体芯片测试的第

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• 发布了文章 2022-07-14 09:21

  陆芯划片机：晶圆加工第五篇—如何在晶圆表面形成薄膜？

  

  薄膜沉积为了创建芯片内部的微型器件，我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百万分之一米）、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。

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• 发布了文章 2022-07-12 14:56

  划片机：晶圆加工第四篇—刻蚀的两种方法

  

  刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质：使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。1、湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高

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• 发布了文章 2022-07-11 10:35

  划片机：晶圆加工第三篇—光刻技术分为三个步骤

  

  光刻光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上，我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高，必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说，光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。1、涂覆光刻胶在晶圆上绘制电路的第一步是在氧化层上涂覆光刻胶。光刻胶通过改变化学性质的方式让晶圆成为“相纸”。晶圆表面的光刻胶层

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