企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识,行业应用和解决方案,以及电子相关的行业资讯。

488内容数 53w+浏览量 14粉丝

动态

  • 发布了文章 2024-04-29 11:49

    SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

    碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比,它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件中产生选择性掺杂的主要方法。将其用于宽带隙器件处理时存在一些挑战。在本文中,我们将重点介绍其中的一些,同时总结它们在GaN功率器件中的一些潜在应用。01有几个因素决
    1.3k浏览量
  • 发布了文章 2024-04-28 13:47

    一种软件可配置的SiC MOSFET门驱动方法

    SiC技术已广泛应用于电动汽车、工业、可再生能源/电网和其他应用的中压和高压应用中。为了充分发挥其优势,系统开发人员必须首先抵消其更快的开关速度带来的不良副作用。01由于基于SiC的系统设计的复杂性不断增加,传统栅极驱动器不足以解决这些与SiC相关的挑战。这些传统栅极驱动器专为与速度慢得多的硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)配合使用而设计。想要实现更快的上市时间
    412浏览量
  • 发布了文章 2024-04-26 11:43

    华为携手车企成立「超充联盟」,引领智慧电动新纪元

    在第十八届北京国际汽车展览会召开前夕,华为在其2024华为智慧电动&智慧充电网络战略与新品发表会上,公布了一项划时代的战略。华为数字能源总裁侯金龙在大会上详细阐释了「一体三面」的电动化战略,并正式宣布与多家车企、充电运营商及产业伙伴联手成立了旨在推动电动车充电革命的「超充联盟」。侯金龙在发布会中指出,中国新能源汽车市场经过十余年的蓬勃发展,如今迎来了三个显著
  • 发布了文章 2024-04-26 11:37

    氢能汽车和电能汽车谁是未来?

    当我们站在这个时代的十字路口,回望过去的工业历程,不免为那些曾推动社会进步的能源选择感到矛盾。化石燃料,这个曾经的工业革命之星,如今却成为了全球环境与能源挑战的一部分。随着温室气体的累积和全球气候的剧烈变化,我们迫切的需要对未来出行方式进行重塑。01氢能汽车与电能汽车,这两位可持续出行解决方案的佼佼者,就在这样的背景下崭露头角。它们不仅承诺将尾气排放降至最低
  • 发布了文章 2024-04-25 11:40

    全球MCU市场强劲增长,英飞凌巩固全球汽车MCU市场龙头地位

    近日,TechInsights发布了一份最新研究报告,报告显示英飞凌在全球汽车半导体市场的份额实现了显著增长。具体数据表明,英飞凌的市场份额从2022年的近13%提升到了2023年的大约14%,这一增长进一步巩固了其作为全球汽车半导体市场领导者的地位。TechInsights的研究报告指出,英飞凌在全球所有地区的市场份额都有所提升,特别是在韩国和中国,英飞凌
    494浏览量
  • 发布了文章 2024-04-25 11:38

    如何看待半导体行业未来的新趋势

    如何看待半导体行业未来的新趋势
  • 发布了文章 2024-04-24 11:48

    碳化硅 (SiC) MOSFET:为汽车电气化的未来提供动力

    随着人们更加注重可持续性发展的经济新模式,我们的居住方式、工作状态以及使用车辆的通勤和休闲方式都在发生相应的变化。尤其是在交通运输领域的变革,因为我们需要减少对化石燃料等不可再生资源的依赖,以减轻对环境的影,推动了一系列能够显著提升效率并加快电气化转变的产品的问世。功率半导体技术近年来快速进步,配备了碳化硅(SiC)MOSFET的电动汽车(EV)如今能够行驶
    948浏览量
  • 发布了文章 2024-04-23 10:49

    利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半导体结

    尽管传统高压平面MOSFET取得了进步,但由于阻断或漏源击穿电压因厚度、掺杂和几何形状而变化,因此局限性仍然存在。本文将讲解超级结MOSFET(例如意法半导体的MDmesh技术)通过晶圆上又深又窄的沟槽来应对这些挑战。01该技术非常适合开关模式电源,采用超级结多漏极结构来降低漏源压降。高漏电或软击穿电压等问题可能是由块状形成中的污染物或缺陷引​​起的。因此,
    453浏览量
  • 发布了文章 2024-04-22 13:52

    台湾晶圆代工与IC封装测试2023年均为全球第一

    台湾作为全球半导体产业领航者,汇聚着众多全球领先的半导体公司。根据驻新加坡台北代表处发布最新一期《2023年台湾与全球半导体供应链回顾》报告,在晶圆代工和集成电路(IC)封装测试方面,2023年台湾均位居第一。报告称,台积电在全球半导体晶圆代工市场上保持优势地位,其产值之市占率从2022年的55.4%,提升至2023年的58.9%,并在2023年第四季达到6
    749浏览量
  • 发布了文章 2024-04-22 13:51

    氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)开发的优势与挑战

    氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中,GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用,例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中,我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被

企业信息

认证信息: 浮思特科技

联系人:浮思特

联系方式:
关注查看联系方式

地址:沙河西路3011号c区1栋4楼

公司介绍:深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业,为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售,专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示,4大领域的方案研发,为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验,内部流程完整、组织架构清晰,服务客户超万位。有专利信息11条,著作权信息41条,是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

查看详情>