深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2024-04-18 11:49

  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

  

  氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复损失且电容相对较小。随着这项技术在更广泛的应用范围内推广，详细理解提高产量和可靠性的根本原因至关重要。本文中，我们总结了在GaN晶圆加工过程中常见的一些缺陷，以及用于检测这些缺陷的表征技术。01氮化镓晶体结构

  GaN HEMT 氮化镓

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• 发布了文章 2024-04-17 13:47

  新能源汽车蓬勃发展，IGBT供应紧张下的技术创新与产能扩张

  

  IGBT作为电机和电控系统的关键组件，对新能源汽车的性能有着直接影响，尤其在功率逆变器模块中扮演关键角色。据统计，IGBT模块约占新能源汽车总成本的5%，此外还广泛应用于车载空调控制系统等。

  IGBT 新能源汽车 晶体管

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• 发布了文章 2024-04-17 13:46

  全新碳化硅MOSFET封装技术提升电力模块性能

  

  说到减少碳化硅MOSFET开关损耗，完全有可能，但让电力模块在运行时保持高开关速度，那可不是一件轻松的事。

  封装 电力 碳化硅MOSFET

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• 发布了文章 2024-04-16 13:42

  国内碳化硅功率半导体元件市场迎来高速增长

  

  电动汽车和新能源的需求蓬勃增长正在推动碳化硅功率半导体元件市场的扩张。中国的碳化硅外延片生产商，在瀚天天成和天域半导体十多年的积累后，乘着新能源的东风，在全球市场中迅速崛起。

  功率半导体 半导体 碳化硅

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• 发布了文章 2024-04-16 13:35

  碳化硅制备的重要性与难点和挑战

  

  这种耐高温、承受高电压、导热性能好到惊人的材料，让它在半导体、航空航天、电力电子等多个领域成为了革命性的材质选择。换句话说，没有碳化硅，许多现代技术根本无法实现。

  SiC 电力系统 电动汽车 碳化硅

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• 发布了文章 2024-04-15 15:49

  英飞凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技术封装

  

  全球半导体行业的领导者英飞凌科技股份公司宣布推出一款新型封装——SSO10T TSC，该封装基于其先进的OptiMOS™ MOSFET技术，专为满足汽车电子产品中对热效率和空间利用有严苛要求的场合设计。

  MOSFET 封装 英飞凌

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• 发布了文章 2024-04-15 15:48

  如何利用方波信号驱动场效应管的奥秘揭秘

  

  而今天，我们要探讨的，是一种特别的信号——方波信号，它如何驱动场效应(FET)的呢

  场效应管 方波信号 电子设备

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• 发布了文章 2024-04-12 11:58

  电子世界的开关大师：MOS场效应晶体管

  

  属-氧化物-半导体场效应晶体管，也就是我们熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察，控制着电流的方向和大小，让整个系统高效而稳定地运行。

  MOS MOSFET管 晶体管

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• 发布了文章 2024-04-11 14:50

  各大车企纷纷自研碳化硅模块，开启电动汽车性能新篇章

  

  碳化硅技术的应用逐渐成为行业新宠，尤其是在提升电动汽车性能方面。越来越多的汽车制造商开始关注并投入到自主研发碳化硅模块的队伍中。

  新能源汽车 电动汽车 碳化硅

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• 发布了文章 2024-04-11 14:48

  稳压二极管的原理与应用全解析

  

  在这个电子技术日新月异的时代，无数微小的电子元件支撑起了我们日常生活中不可或缺的电子设备。它们就像是一个个勤劳的小蜜蜂，默默地在电子设备的世界里忙碌着。

  电子元件 电子设备 稳压二极管

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