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鸿之微

文章:340 被阅读:51.5w 粉丝数:47 关注数:0 点赞数:2

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DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的头像 鸿之微 发表于 05-26 10:49 865次阅读
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固定电势在电化学反应中的应用

在电化学界面反应过程中,由于电化学反应界面通常与恒定电极电势的外电极相连,为确保电子的化学势与外电极....
的头像 鸿之微 发表于 05-26 09:44 1919次阅读
固定电势在电化学反应中的应用

基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法

本文使用鸿之微DS-PAW软件并结合Nanodcal软件研究锯齿型石墨烯/氮化硼纳米带范德瓦尔斯异质....
的头像 鸿之微 发表于 05-25 10:02 914次阅读
基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法

GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算(上)

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的头像 鸿之微 发表于 05-25 09:17 1266次阅读
GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算(上)

BSIM4模型与BSIM3模型的区别

 2022年,集成电路半导体行业最热的头条是“EDA被全面封锁”。如何突破EDA封锁,成为行业发展的....
的头像 鸿之微 发表于 05-24 11:06 2165次阅读
BSIM4模型与BSIM3模型的区别

探究BSIM4模型

在BSIM3的基础上,UC Berkley的BSIM小组紧接着又推出了BSIM4模型。
的头像 鸿之微 发表于 05-24 11:01 4189次阅读
探究BSIM4模型

DASP 双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-24 10:15 660次阅读
DASP 双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

有机半导体材料的分子结构与性能之间的关系

有机半导体材料可广泛应用于OLED、OPVC或OFET中,为开发具有优异光电性能的新型有机半导体材料....
的头像 鸿之微 发表于 05-23 14:17 1748次阅读
有机半导体材料的分子结构与性能之间的关系

双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Packa....
的头像 鸿之微 发表于 05-23 14:11 681次阅读
双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

催化剂分离和循环利用问题

  烯烃是现代化工生产高附加值化学品的重要原料。生产烯烃最直接的方法就是通过烷烃直接脱氢生成烯烃。在....
的头像 鸿之微 发表于 05-23 11:33 879次阅读
催化剂分离和循环利用问题

NTO表面和分子空位对其热反应动力学的影响

在我们的工作中,基于自洽电荷密度泛函紧束缚(SCC-DFTB)的分子动力学模拟,研究了NTO晶体的热....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 15:45 2726次阅读
NTO表面和分子空位对其热反应动力学的影响

ZnGeP2的本征缺陷计算之TSC模块运行流程

TSC模块将使用与 Materials Project 数据库提供的输入参数(INCAR,KPOIN....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:35 701次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之TSC模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之DEC模块运行流程

确认TSC模块完成后,回到ZnGeP2目录,使用命令 dasp 3 执行DEC模块。DEC模块会在第....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:32 659次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之DEC模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之PREPARE模块运行流程

新建目录ZnGeP2,在./ZnGeP2/目录内同时准备好以上的POSCAR文件与 dasp.in ....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:29 563次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之PREPARE模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之准PREPARE

ZnGeP2是一种非线性光学材料,但是其带隙内存在的较多光吸收峰限制了其应用,实验上认为这些吸收与点....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:25 604次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之准PREPARE

基于DASP ZnGeP2的本征缺陷计算

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 17:22 746次阅读
基于DASP ZnGeP2的本征缺陷计算

华中科大《Acta Materialia》:首次报道低于2K的巨介电弛豫行为

不同的掺杂体系表现出不同的巨介电弛豫行为和缺陷偶极冷冻温度Tf(如图1所示),对应于不同的电子钉扎状....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 11:05 921次阅读
华中科大《Acta Materialia》:首次报道低于2K的巨介电弛豫行为

金属氧化物巨介电材料低于2K的缺陷偶极冷冻温度Tf及非常规TADR行为

多层陶瓷电容器(MLCC)核心原料采用的主要是钛酸钡基铁电体,由于存在靠近室温的铁电相变,使其介电常....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:51 512次阅读
金属氧化物巨介电材料低于2K的缺陷偶极冷冻温度Tf及非常规TADR行为

DASP双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:39 612次阅读
DASP双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6 02)

TSC模块将使用 Materials Project 数据库提供的输入参数(INCAR,KPOINT....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:38 846次阅读
双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6  02)

结构设计策略用于二元金属硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

利用鸿之微Device Studio中的DS-PAW通过第一性原理计算对基于rGO媒介载体上构建的N....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:35 908次阅读
结构设计策略用于二元金属硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6 01)

在以上的案例中,我们展示了TSC模块可以计算元素化学势,用于DEC模块的缺陷形成能计算。此外,TSC....
的头像 鸿之微 发表于 05-12 09:52 932次阅读
双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6  01)

面外变形对二维纳米材料电子结构的影响机制研究

本项目采用基于密度密度泛函理论的第一性原理计算,对石墨烯中的“零维”面外变形效应进行了深入探究。首先....
的头像 鸿之微 发表于 05-12 09:45 812次阅读
面外变形对二维纳米材料电子结构的影响机制研究

ZnGeP2的本征缺陷计算(非辐射俘获系数计算CDC)

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-11 16:37 932次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算(非辐射俘获系数计算CDC)

高熵合金温度相关变形行为的本构建模和性能调控

针对上述问题,西南交通大学康国政教授团队建立了考虑温度效应和晶粒尺寸效应的多物理机制晶体塑性本构模型....
的头像 鸿之微 发表于 04-27 11:02 921次阅读
高熵合金温度相关变形行为的本构建模和性能调控

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(缺陷形成能和转变能级计算DEC)

在上一步使用命令 dasp 2 执行TSC模块时,会生成doping-Ga2O3/tsc目录,并在该....
的头像 鸿之微 发表于 04-27 10:47 2444次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(缺陷形成能和转变能级计算DEC)

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(热力学稳定性和元素化学势计算TSC)

TSC模块将使用与 Materials Project 数据库完全一致的输入参数(INCAR,KPO....
的头像 鸿之微 发表于 04-26 09:26 779次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(热力学稳定性和元素化学势计算TSC)

半导体缺陷原理:DASP HfO2的本征缺陷计算

DDC模块首先将根据DEC模块的输出结果判断哪些缺陷已经计算完毕,并将这些所有的缺陷全部考虑进DDC....
的头像 鸿之微 发表于 04-24 15:09 1557次阅读
半导体缺陷原理:DASP HfO2的本征缺陷计算

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE01)

Ga2O3是一种透明导电氧化物,表现出天然的n型导电性和高光学透明度,在平板显示器、触摸控制面板和显....
的头像 鸿之微 发表于 04-24 10:27 896次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE01)

通过调控电子传递路径解决银系光催化剂光腐蚀问题

在众多新兴的处理水中微污染物的先进氧化工艺中,光催化技术因其独特的催化原理和广阔的应用前景脱颖而出。
的头像 鸿之微 发表于 04-23 17:43 2465次阅读
通过调控电子传递路径解决银系光催化剂光腐蚀问题