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鸿之微

文章:330 被阅读:38.4w 粉丝数:42 关注数:0 点赞数:2

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NTO表面和分子空位对其热反应动力学的影响

在我们的工作中,基于自洽电荷密度泛函紧束缚(SCC-DFTB)的分子动力学模拟,研究了NTO晶体的热....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 15:45 2068次阅读
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ZnGeP2的本征缺陷计算之TSC模块运行流程

TSC模块将使用与 Materials Project 数据库提供的输入参数(INCAR,KPOIN....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:35 429次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之TSC模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之DEC模块运行流程

确认TSC模块完成后,回到ZnGeP2目录,使用命令 dasp 3 执行DEC模块。DEC模块会在第....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:32 410次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之DEC模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之PREPARE模块运行流程

新建目录ZnGeP2,在./ZnGeP2/目录内同时准备好以上的POSCAR文件与 dasp.in ....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:29 354次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之PREPARE模块运行流程

ZnGeP2的本征缺陷计算之准PREPARE

ZnGeP2是一种非线性光学材料,但是其带隙内存在的较多光吸收峰限制了其应用,实验上认为这些吸收与点....
的头像 鸿之微 发表于 05-19 10:25 397次阅读
ZnGeP2的本征缺陷计算之准PREPARE

基于DASP ZnGeP2的本征缺陷计算

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 17:22 461次阅读
基于DASP ZnGeP2的本征缺陷计算

华中科大《Acta Materialia》:首次报道低于2K的巨介电弛豫行为

不同的掺杂体系表现出不同的巨介电弛豫行为和缺陷偶极冷冻温度Tf(如图1所示),对应于不同的电子钉扎状....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 11:05 699次阅读
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金属氧化物巨介电材料低于2K的缺陷偶极冷冻温度Tf及非常规TADR行为

多层陶瓷电容器(MLCC)核心原料采用的主要是钛酸钡基铁电体,由于存在靠近室温的铁电相变,使其介电常....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:51 358次阅读
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DASP双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:39 375次阅读
DASP双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测

双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6 02)

TSC模块将使用 Materials Project 数据库提供的输入参数(INCAR,KPOINT....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:38 573次阅读
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结构设计策略用于二元金属硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

利用鸿之微Device Studio中的DS-PAW通过第一性原理计算对基于rGO媒介载体上构建的N....
的头像 鸿之微 发表于 05-16 10:35 667次阅读
结构设计策略用于二元金属硫化物界面催化活性提高及其水分解研究

双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6 01)

在以上的案例中,我们展示了TSC模块可以计算元素化学势,用于DEC模块的缺陷形成能计算。此外,TSC....
的头像 鸿之微 发表于 05-12 09:52 705次阅读
双钙钛矿材料稳定性的快速计算预测(Cs2AgBiCl6  01)

面外变形对二维纳米材料电子结构的影响机制研究

本项目采用基于密度密度泛函理论的第一性原理计算,对石墨烯中的“零维”面外变形效应进行了深入探究。首先....
的头像 鸿之微 发表于 05-12 09:45 601次阅读
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ZnGeP2的本征缺陷计算(非辐射俘获系数计算CDC)

针对任一半导体,DASP软件可以计算给出如下性质:热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷(含杂....
的头像 鸿之微 发表于 05-11 16:37 695次阅读
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高熵合金温度相关变形行为的本构建模和性能调控

针对上述问题,西南交通大学康国政教授团队建立了考虑温度效应和晶粒尺寸效应的多物理机制晶体塑性本构模型....
的头像 鸿之微 发表于 04-27 11:02 658次阅读
高熵合金温度相关变形行为的本构建模和性能调控

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(缺陷形成能和转变能级计算DEC)

在上一步使用命令 dasp 2 执行TSC模块时,会生成doping-Ga2O3/tsc目录,并在该....
的头像 鸿之微 发表于 04-27 10:47 1777次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(缺陷形成能和转变能级计算DEC)

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(热力学稳定性和元素化学势计算TSC)

TSC模块将使用与 Materials Project 数据库完全一致的输入参数(INCAR,KPO....
的头像 鸿之微 发表于 04-26 09:26 592次阅读
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半导体缺陷原理:DASP HfO2的本征缺陷计算

DDC模块首先将根据DEC模块的输出结果判断哪些缺陷已经计算完毕,并将这些所有的缺陷全部考虑进DDC....
的头像 鸿之微 发表于 04-24 15:09 1155次阅读
半导体缺陷原理:DASP HfO2的本征缺陷计算

H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE01)

Ga2O3是一种透明导电氧化物,表现出天然的n型导电性和高光学透明度,在平板显示器、触摸控制面板和显....
的头像 鸿之微 发表于 04-24 10:27 678次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE01)

通过调控电子传递路径解决银系光催化剂光腐蚀问题

在众多新兴的处理水中微污染物的先进氧化工艺中,光催化技术因其独特的催化原理和广阔的应用前景脱颖而出。
的头像 鸿之微 发表于 04-23 17:43 1842次阅读
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《AFM》:一种简单有效的策略解决锌电极枝晶问题!

因此,采用CZ-Zn电极的对称电池在碱性和中性电解液中都表现出了优异的循环寿命,在2.5 mAhcm....
的头像 鸿之微 发表于 04-23 11:47 630次阅读
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H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE02)

首先程序将根据min_atom=200和max_atom=250的参数,自动寻找最优的扩胞方案(即尽....
的头像 鸿之微 发表于 04-23 11:20 678次阅读
H掺杂Ga2O3的缺陷计算(准备计算PREPARE02)

DASP HfO2的本征缺陷计算(缺陷形成能和转变能级计算DEC)

根据 dasp.in 中的参数intrinsic = T,DEC模块将产生HfO2的本征缺陷,即生成....
的头像 鸿之微 发表于 04-18 10:58 2207次阅读

第一性原理平面波密度泛函计算软件DS-PAW 2023A版发布

新增了隐式溶剂模型(Implicit Solvation Model)可以隐式地模拟溶剂作用。在隐式....
的头像 鸿之微 发表于 04-14 10:34 2226次阅读

气相脱合金相变机制取得重要进展

脱合金化制备的双连续纳米多孔金属具有大的比表面积、高的曲率、高的电导率和丰富的表面缺陷。
的头像 鸿之微 发表于 04-04 18:20 1407次阅读

一种新的Hall-Petch关系

金属材料的屈服强度是一种具有重要科学和工程意义的基本力学性能。阐明屈服强度的内在因素和物理机制,实现....
的头像 鸿之微 发表于 04-01 17:49 947次阅读

一种新型独特设计的微晶玻璃电解液

固体硫化物电解液(SSSEs)与锂负极和氧化物正极的结合可以使全固态金属锂电池(ASSLMB)的能量....
的头像 鸿之微 发表于 04-01 17:35 669次阅读

一种稳定的开放(001)晶面的LTSO材料制备方法

随着人们对锂离子电池的要求提升,各种新型负极材料相继被报道。但是这些新体系均存在着自身缺点,需要进一....
的头像 鸿之微 发表于 04-01 17:27 1101次阅读

高效太阳能电池的配体锚定诱导定向晶体生长

窄带隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金钙钛矿太阳能电池是一种有前途的全钙钛矿串联器件底部组件电....
的头像 鸿之微 发表于 04-01 17:25 1256次阅读

介绍Phase Lab相图模块Ag-Si合金相分数随成分的变化

Phase Lab 是一款功能强大的相图相场计算软件,包括相图模块、扩散模块、相场模块以及数据库模块....
的头像 鸿之微 发表于 03-25 09:55 613次阅读