--- 产品参数 ---
- 型号 STD6500
--- 产品详情 ---
IGBT模块直流参数测试系统STD6500
基础信息
开发背景:大功率IGBT和Diode模块j静态参数程控式设备
技术标准:IEC60747-2/GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分(整流二极管)
技术标准:IEC60747-9∶2007/GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分(绝缘栅双极晶体管/IGBT)
应用领域:如电网、轨道机车、工业电机等、电动汽车。测试连接可以是“软连接线”也可是“自动化工装”,也可选配高低温单元
IGBT模块直流参数测试系统STD6500
产品特点
- 用于大功率IGBT和Diode模块的静态直流参数测试。电压10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV;电流10KA,5KA,2400A,1600A
- 智能化、自动式操作基于“测试主机”“计算机程控系统”“气动工装”协调完成。DUT连接“气动工装”“软连接”均可
- 操作简单(点按钮,舱门开,手动将DUT放置夹具底座,再点击,夹具底座归舱,舱门关。点击按钮完成测试且数据自动保存)
- 编程简单(参考器件规格书在软件上编辑“测试程序”)
- 不同封装形式提供不同的定制“适配器”
- 可进行室温~200℃高温测试,此项目属于选配
- 测试结果自动保存为EXCEL文件
- 安全稳定(PLC对设备工作状态全程实时监控并与硬件进行互锁)
- 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全
IGBT模块直流参数测试系统STD6500
测试参数
IGEs∶栅极漏流
VGE(th)∶栅极发射极阈值电压
VCEsat∶集电极发射极饱和电压
VF∶二极管正向压降
ICEs∶集电极截止电流
VCES∶集电极击穿电压
IGBT模块直流参数测试系统STD6500
电性配置
集电极电压(VCE):标配:6500V
选配:10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV
集电极电流(ICE):标配:1600A
选配:10KA,5KA,2400A,1600A
栅极电压(VGE):40V(选配100V)
栅极电流(IGE):10uA
IGBT模块直流参数测试系统STD6500
参数指标
为你推荐
-
半导体热特性试验系统2024-08-02 16:28
产品型号:ST-PCX 主机规格:200/W*136/D*150/H(cm) 主机质量:<600kg 水冷却机:105/W*56/D*116/H(cm) 水冷却机:<310kg 环境温度:5~40℃ -
二极管正向浪涌电流测试系统2024-08-02 16:20
产品型号:ST-IFSM_X 电压:3KV(可扩展4.5KV/6KV/8KV/10KV等) 电流:1KA(可扩展2KA/5KA/8KA/10KA等) 浪涌电流(IFSM):200~10KA 分辨率:1A 精度:±5% -
晶体管正向偏置安全工作区测试系统2024-08-02 16:17
产品型号:ST-FBSOA_X ICE电流:0~1000A VCE电压:0~100V VGE驱动电压:0~30V VMNF热敏电压:≤5V Pmax功率:100KW -
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统2024-08-02 16:14
产品型号:SCRD8000 阳极电压:12V 阳极串联电阻:12Ω 门极触发电压:0.3—5.00V 门极触发电流:1—500mA 维持电流:1—500mA -
可控硅门极特性测试仪2024-08-02 15:17
产品型号:SCRD12V 阳极电压:12V 阳极串联电阻:62 门极触发电压:0.30V~4.50V@0.01V@3%0.0 门极触发电流:5mA~450mA@1mA@3%士1mA -
IGBT模块动态特性测试系统2024-08-01 15:23
产品型号:STA3500 高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/ 短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50 驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V 负载/L:10 50 150 500 1000 2000 u -
晶体管动态特性测试系统2024-08-01 15:12
产品型号:STA1200 型号:STA1200 -
IGBT模块直流参数测试系统STD65002024-08-01 15:00
产品型号:STD6500 型号:STD6500 -
光耦参数测试仪2024-08-01 14:56
产品型号:STO1400 型号:STO1400 -
元器件静态参数测试仪2024-08-01 14:53
产品型号:STD1600 型号:STD1600