企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

陕西天士立科技有限公司

陕西天士立科技有限公司,源头厂家,自有工厂研发制造,主营业务:半导体器件专用设备制造、仪器仪表制造、电子元器件制造、机械电气设备制造等

29 内容数 1.3k 浏览量 4 粉丝

IGBT模块动态特性测试系统

型号: STA3500

--- 产品参数 ---

  • 高压源/VCC 1500V/3300V/5000V/10KV
  • 高流源/IC 600A/1500A/3000A/6000A/
  • 短路电流/Isc 3000A/6000A/10KA(5-50
  • 驱动电压/VGE ±0.5~30V/±0.5~50V
  • 负载/L 10 50 150 500 1000 2000 u
  • 电流/I 6000 3000 1500 600 400 20

--- 产品详情 ---

 

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

电气配置

高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV 

高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA 

短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50µs)

驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V 

Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手动和自动切换)

负载/L:10 50 150 500 1000 2000 uH

电流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A 

 

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

测试条件 

Vcc范围:50-3300 

VIC范围:50-200A(雪崩条件) 

IC范围:50-1500A 

L电感:10/50/150/5001000/2000uH 

VGE(on/off):±30V(电压可设置) 

tp测试时间:10-1000us(自动计算) 

twsoff脉冲间隔:10-50us(可设置) 

电阻范围:0.5R、1R、2R、4R(Qg条件)

IscMAX(最大):6KA/10KA(SC条件)

 

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

试验能力

标配,开关特性/Turn_ON/OFF_L 

标配,二极管反向恢复特性/Qrr-FRD 

标配,栅电荷/Qg 

选配,短路特性/SC 

选配,单/双脉冲安全工作区/RBSOA(Sp/Dp)

选配,雪崩耐量/UIS

 

 

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

波形例举

 

 

 

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

参数指标

标配(阻性/感性)开关测试单元/Turn_ON/OFF_L 

  1. 开通/关断时间ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  2. 开通/关断延迟td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  3. 上升/下降时间tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  4. 开通/关断损耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ 
  5. 关断拖尾时间tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  6. 导通/关断峰值电压Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4% 
  7. 通态峰值电流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4% 

标配 二极管反向恢复测试单元/Qrr_FRD 

  1. 反向恢复时间Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4% 
  2. 最大反向电流Irm:20A-1500A解析度:1A 
  3. 反向恢复电荷Qrr:1nC-30000µC解析度:1nC 
  4. 反向恢复损耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ 
  5. di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us 
  6. 反向关断峰值电压VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4% 
  7. 正向关断电流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4% 

标配 栅极电荷单元/Qg 

  1. 阈值电荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  2. 栅电荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  3. 平台电压vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2% 
  4. 栅源电荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  5. 栅漏电荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 

选配 短路特性测试单元/SCSOA 

  1. 短路电流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4% 
  2. 短路时间Tsc:5~100us 

选配 安全工作区/RBSOA 

  1. RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA 
  2. VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4% 

选配 雪崩特性测试单元/UIS 

  1. 单/重复脉冲雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ 
  2. 单脉冲雪崩电流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
  3. 单脉冲雪崩功率PAS:最大140KW

 

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

 

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

 

为你推荐

  • 半导体热特性试验系统2024-08-02 16:28

    产品型号:ST-PCX 主机规格:200/W*136/D*150/H(cm) 主机质量:<600kg 水冷却机:105/W*56/D*116/H(cm) 水冷却机:<310kg 环境温度:5~40℃
  • 二极管正向浪涌电流测试系统2024-08-02 16:20

    产品型号:ST-IFSM_X 电压:3KV(可扩展4.5KV/6KV/8KV/10KV等) 电流:1KA(可扩展2KA/5KA/8KA/10KA等) 浪涌电流(IFSM):200~10KA 分辨率:1A 精度:±5%
  • 晶体管正向偏置安全工作区测试系统2024-08-02 16:17

    产品型号:ST-FBSOA_X ICE电流:0~1000A VCE电压:0~100V VGE驱动电压:0~30V VMNF热敏电压:≤5V Pmax功率:100KW
  • 大功率可控硅静态动态参数综合测试系统2024-08-02 16:14

    产品型号:SCRD8000 阳极电压:12V 阳极串联电阻:12Ω 门极触发电压:0.3—5.00V 门极触发电流:1—500mA 维持电流:1—500mA
  • 可控硅门极特性测试仪2024-08-02 15:17

    产品型号:SCRD12V 阳极电压:12V 阳极串联电阻:62 门极触发电压:0.30V~4.50V@0.01V@3%0.0 门极触发电流:5mA~450mA@1mA@3%士1mA
  • IGBT模块动态特性测试系统2024-08-01 15:23

    产品型号:STA3500 高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/ 短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50 驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V 负载/L:10 50 150 500 1000 2000 u
  • 晶体管动态特性测试系统2024-08-01 15:12

    产品型号:STA1200 型号:STA1200
  • IGBT模块直流参数测试系统STD65002024-08-01 15:00

    产品型号:STD6500 型号:STD6500
  • 光耦参数测试仪2024-08-01 14:56

    产品型号:STO1400 型号:STO1400
  • 元器件静态参数测试仪2024-08-01 14:53

    产品型号:STD1600 型号:STD1600