--- 产品参数 ---
- 高压源/VCC 1500V/3300V/5000V/10KV
- 高流源/IC 600A/1500A/3000A/6000A/
- 短路电流/Isc 3000A/6000A/10KA(5-50
- 驱动电压/VGE ±0.5~30V/±0.5~50V
- 负载/L 10 50 150 500 1000 2000 u
- 电流/I 6000 3000 1500 600 400 20
--- 产品详情 ---
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
电气配置
高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50µs)
驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V
Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手动和自动切换)
负载/L:10 50 150 500 1000 2000 uH
电流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
测试条件
Vcc范围:50-3300
VIC范围:50-200A(雪崩条件)
IC范围:50-1500A
L电感:10/50/150/5001000/2000uH
VGE(on/off):±30V(电压可设置)
tp测试时间:10-1000us(自动计算)
twsoff脉冲间隔:10-50us(可设置)
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R(Qg条件)
IscMAX(最大):6KA/10KA(SC条件)
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
试验能力
标配,开关特性/Turn_ON/OFF_L
标配,二极管反向恢复特性/Qrr-FRD
标配,栅电荷/Qg
选配,短路特性/SC
选配,单/双脉冲安全工作区/RBSOA(Sp/Dp)
选配,雪崩耐量/UIS
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
波形例举
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
参数指标
标配(阻性/感性)开关测试单元/Turn_ON/OFF_L
- 开通/关断时间ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 开通/关断延迟td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 上升/下降时间tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 开通/关断损耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ
- 关断拖尾时间tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 导通/关断峰值电压Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4%
- 通态峰值电流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4%
标配 二极管反向恢复测试单元/Qrr_FRD
- 反向恢复时间Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4%
- 最大反向电流Irm:20A-1500A解析度:1A
- 反向恢复电荷Qrr:1nC-30000µC解析度:1nC
- 反向恢复损耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ
- di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us
- 反向关断峰值电压VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4%
- 正向关断电流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4%
标配 栅极电荷单元/Qg
- 阈值电荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 栅电荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 平台电压vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2%
- 栅源电荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 栅漏电荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
选配 短路特性测试单元/SCSOA
- 短路电流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4%
- 短路时间Tsc:5~100us
选配 安全工作区/RBSOA
- RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA
- VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4%
选配 雪崩特性测试单元/UIS
- 单/重复脉冲雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ
- 单脉冲雪崩电流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
- 单脉冲雪崩功率PAS:最大140KW
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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