大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
基础信息
- 门极触发：VGT、IGT
- 维持电流：IH、IL
- 阻断参数：VD、VR、ID、IR
- 压降参数：VTM、ITM
- 电压上升率：dv/dt
- 电流变化率：di/dt
- 关断时间：Tq
- 恢复电荷：Qr、Irr、Trr
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
主要量程
- 阳极电压：12V
- 阳极串联电阻：12Ω
- 门极触发电压：0.3—5.00V
- 门极触发电流：1—500mA
- 维持电流：1—500mA
- 擎住电流：5—1000mA
- 通态电流：600—8000A
- 通态压降：0.3—9.99V
- 阻断电压：200—8000V
- 正反向漏电流：1—250mA
- dv/dt箝位电压VDM：500~4KV
- 电压上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
- 通态电流：200—2000A
- 反向电压：50—200V
- 再加电压：500—3000V
- 关断时间：4—1500μS
- 反恢电荷：200μQ—15000μQ
- 再加电压上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS
- di/dt：10A/μS、20A/μS
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
气动夹具
- 压力方式：气压
- 压力范围：10~60KN
- 压力分辨率：0.1KN
- 控温范围：70~180℃
- 控温精度：70℃—125℃±1.0℃
- 控温精度：125℃—180℃±1.5℃
- 温度分辨率：0.1℃
- 夹头耐压：10KV
- 夹头行程：≥80mm
- 台面直径：大于Φ130mm
- 夹头找平：≥1mm
- 夹头平面度：≤20μm
- 导柱间跨距：≥310mm
- 夹头最大电流：10000A
- 夹头极性：上为阴极，下为阳极
- 采样：上下夹头采样顶针同轴
- 电源：AC50HZ/220V功率≤5KW
- 夹具可安装适配器，应对不同封装
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
系统单元
- 门极触发参数测试单元
- 维持电流测试单元
- 擎住电流测试单元
- 阻断参数测试单元
- 通态压降参数测试单元
- 电压上升率参数测试单元
- 关断时间参数测试单元
- 恢复电荷参数测试单元
- 自动热稳态压力夹具
- 10计算机控制系统
- PLC控制系统
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
性能指标
通态压降测试
- 通态电流：600—8000A±3%±10A
- 通态压降：0.3—9.99V±3%±10mV
- 电流达到电流峰值的时间：≥5ms
- 可测设定前沿电流和后沿电流的压降。可测门槛电压和斜率电阻
- （此功能由单独“通态特性曲线”测试程序完成）
- 测试频率：单次
- 计算机显示：ITM/IFM，VTM/VFM数值
dv/dt测试
- dv/dt箝位电压VDM：500—4000V，数码设定，数字表显示
- dv/dt箝位电压VDM静态精度：±5%
- 电压上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
- 电压上升率误差：±10%（在再加电压2000V（负载电容2.2nF）下作为考核点）最大过压时间超过0.5us的瞬态电压＜200V
- 信号指示：具有测试信号指示、通过指示、失败指示
- 测试频率：约0.5HZ；电压近似线性上升率"
高压伏安特性
- 阻断电压：200—8000V±3%±10V
- 电压分辨率：0.01KV
- 正反向漏电流：1—250mA±3%±0.1mA
- 正反向漏电流分辨率：0.1mA
- 显示阻断特性曲线，设备有输出电压和电流保护功能
- 测试频率：5或50HZ
- 电压调节：手动调节计算机显示阻断电压和漏电流数值
门极触发特性
- 阳极电压：12V
- 阳极串联电阻：12Ω
- 门极触发电压：0.3—5.00V±5%±10mV
- 门极触发电流：1—500mA±5%±1mA
- 测试频率：单次计算机显示VGT、IGT数值
擎住电流
- 阳极电压：12V
- 擎住电流：5—1000mA±5%±1mA
- 计算机显示：IL数值
维持电流
- 阳极电压：12V
- 维持电流：1—500mA±5%±1mA
- 测试频率：单次预导通电流：约10A、20A和40A三档
- 计算机显示：IH数值
关断时间及恢复电荷
- 通态电流：200—2000A±5%（数码设定）
- 脉宽4Ms
- 反向电压：50—200V
- 反向设定电压静态精度±5%（数码设定）
- 再加电压：500—3000V
- 再加电压静态设定精度±5%（数码设定）
- 关断时间：4—1500μS±5%±1μS
- 反向恢复电荷：大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ
- 重复性：快速晶闸管±50μQ；普通晶闸管±100μQ
- 再加电压上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS三档
- ±10%再加电压在1000V（负载电容2.2nF）下作为考核点
- 电压上升率按指数法计算
- 反向电流di/dt：10A/μS、20A/μS，精度±15%，电流在 1500A下作为考核点。
- 测试频率：约0.5HZ
- 配有电压电流的校验程序（仅供校验用）
