LTC®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (对于 3.3V 高压侧应用) 和一个标准 N 沟道开关 (对于 3.3V 低压侧应用)。在 5V 时的栅极驱动电压通常高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因此标准 N 沟道 MOSFET 开关可用于高压侧和低压侧应用。
微功率操作 (具有 3μA 待用电流和 80μA 工作电流) 使 LTC1157 非常适合电池供电型应用。
LTC1157 可提供 8 引脚 DIP 封装 SOIC 封装。
应用
- 笔记本电脑电源管理
- 掌上型电脑电源管理
- 替代 P 沟道开关
- 电池充电和管理
- 混合式 5V 和 3.3V 电源切换
- 步进电机和 DC 电机控制
- 蜂窝电话和寻呼机
- 可提供最低压降 3.3V 电源切换
- 可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作
- 3μA 待用电流
- 80μA 导通电流
- 驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET
- 无外部充电泵组件
- 受控接通和关断时间
- 可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器件系列
- 采用 8 引脚 SOIC 封装
TSC427
TSC428
LTC1693-5
LTC1981
MAX1822
LTC1982
MAX620
LTC1693
LTC1710
LTC1623
MAX1614
LTC1477
LTC1478
LTC1163
MAX4426
MAX4427
MAX4428
LT1161
MAX4420
MAX4429
LTC1157
LTC1154
LTC1255
LTC1155
LTC1156
