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发布了文章 2024-06-03 14:15

并行连接的SiC MOSFET可以带来更多电力

功率器件(如开关、电阻和MOSFET)的并联连接旨在分担功率，使设备能够承受更大的功率。它们可以并联连接，以增加输出电流的容量。由于不受热不稳定性的影响，并联连接通常比其他较老的组件更简单且不那么关键，碳化硅MOSFET也可以与其他同类设备并联使用。在正常情况下，多个单元的简单并联连接运行良好，但在与温度、电流和工作频率相关的特殊情况下，工作条件可能变得关键

MOSFET SiC 电流

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发布了文章 2024-05-31 14:00

新能源汽车再升级！我国计划投入60亿元加速全固态电池研发

中国日报近日报道，中国政府或将投入约60亿元用于全固态电池的研发工作，以推动电池技术的创新和产业升级。据悉，这一史无前例的项目由政府相关部委牵头实施，宁德时代、比亚迪、一汽、上汽、卫蓝新能源和吉利等六家行业领军企业有望获得政府的基础研发支持。全固态电池作为新能源汽车领域的重要创新方向，因其高安全性、长寿命和快速充电能力而备受瞩目。然而，由于原材料获取困难、制

全固态电池新能源汽车

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发布了文章 2024-05-31 13:59

如何保护电子元器件以延长生命周期

在电子电力领域，许多关键应用要求设备必须运行很长一段时间，甚至几十年。尤其是对于航空航天、国防、能源和医疗行业方面而言，为了保持设备正常运行，必须在其整个生命周期内持续供应组件。那么，如何保护电子元器件以延长生命周期，解决这个问题的一种方法是在生产结束后长期储存半导体元件。该解决方案使您能够在设备的整个使用寿命期间持续供应组件。01电子设备如果没有组成它们的

电子元器件电子电力设备

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发布了文章 2024-05-30 11:24

国产8英寸碳化硅晶圆迈入新纪元，芯联集成引领行业突破

5月27日，中国半导体制造领域迎来里程碑式的事件——芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下线，这一成就标志着国产8英寸碳化硅晶圆的生产正式迈入国产化阶段。此项目总投资高达9.61亿元，预计全面投产后，将形成每年6万片6/8英寸碳化硅晶圆的生产能力，为我国的半导体产业注入强劲动力。来源：芯联集成在全球半导体竞争日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其独特的

晶圆碳化硅芯联集成

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发布了文章 2024-05-30 11:23

碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如双极结晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)以及现在的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。碳化硅功率器件在这些碳化硅功率器件的开关性能中，制造商通常需要在栅极驱动复杂性和所需性能之间进行权衡

SiC 功率器件碳化硅

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发布了文章 2024-05-29 11:36

英飞凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，满足AI服务器需求

随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI处理器对功率的需求呈现出显著增长态势。为了应对这一挑战，英飞凌科技股份有限公司近日宣布，将SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)的开发范围扩展至400V领域，并推出了全新的CoolSiC™400VMOSFET系列。这一创新产品不仅满足了AI服务器电源(PSU)日益增长的功率需求，同时保持了服务器机架规

AI MOSFET 服务器英飞凌

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发布了文章 2024-05-29 11:35

单片机选型的原则与建议

选择一个不适合的单片机，可能会导致项目成本的增加，开发周期的延长，甚至是项目失败。今天这篇文章将带你探索选择单片机的原则，帮助你在这个充满挑战和机遇的领域中做出明智的决策。

传感器单片机电子元件

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发布了文章 2024-05-28 10:53

功率半导体市场迎飞跃，预测2035年市场规模将增4.7倍

近日，日本市场研究公司富士经济发布了一份备受关注的行业研究报告《功率器件晶圆市场的最新趋势和技术趋势》。该报告深入分析了功率半导体市场的发展趋势，并预测2024年功率半导体市场将比上年增长23.4%，市场规模将达到2813亿日元。预计到2035年，这一市场规模将进一步扩大至10,763亿日元，较2023年水平激增4.7倍。报告指出，功率半导体市场的增长主要得

功率半导体功率器件晶圆

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发布了文章 2024-05-28 10:51

当绝缘体内存在气泡(Void)或绝缘体间存在气隙(Airgap)时，在正常工作电压下气泡或气隙容易发生局部放电(PartialDischarge，PD)，导致绝缘劣化造成绝缘品质异常。例如：树酯内有气泡或漆包线间的气隙，因为空气的介电系数较低，气泡或气隙的电容量比原绝缘材料低，所以会分到相对高比例的电压，且在相同间隙距离条件下，气泡或气隙的崩溃电压比绝缘材料的低。此类放电发生于气泡或气隙等局部瑕疵

功率元器件

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发布了文章 2024-05-27 11:19

SemiQ 开始针对 SiC 产品组合实施已知良品芯片(KGD)计划

近日，SemiQ已启动了已知良好芯片(KGD)筛选计划。该计划提供经过电气分类和光学检查的高质量SiCMOSFET技术。该技术已准备好进行后端处理，并且可以直接作为芯片连接。SemiQ的已知良好芯片保证了一致的电气参数，使客户能够在高压电源、牵引逆变器和功率调节系统等设备的构建中依靠可重复的性能来实现高生产线成品率。统一的芯片特性有利于高功率模块中各种器件的

SemiQ SiC 芯片

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