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半导体之离子注入工艺简介

半导体材料最重要的特性之一是导电率可以通过掺杂物控制。集成电路制造过程中，半导体材料（如硅、错或1E....

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FindRF 发表于 05-04 11:12 •2794次阅读

半导体刻蚀工艺简述

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产....

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FindRF 发表于 04-21 09:20 •1715次阅读

半导体行业之刻蚀工艺介绍

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程....

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FindRF 发表于 04-17 10:36 •2465次阅读

半导体行业之刻蚀工艺介绍

金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果有少量铜就会引起残余....

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FindRF 发表于 04-10 09:40 •3027次阅读

多晶硅蚀刻工艺讲解

下图显示了Intel的第6代晶体管（6T）SRAM尺寸缩小时间表，以及多晶硅栅刻蚀技术后从90nm到....

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FindRF 发表于 04-03 09:39 •3117次阅读

单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。

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FindRF 发表于 03-30 09:39 •3225次阅读

半导体制造中的等离子体刻蚀过程

从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高，明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速....

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FindRF 发表于 02-23 17:17 •3343次阅读

纯化学刻蚀、纯物理刻蚀及反应式离子刻蚀介绍

刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch....

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FindRF 发表于 02-20 09:45 •3154次阅读

等离子体刻蚀工艺简介

铝刻蚀可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,....

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FindRF 发表于 02-17 09:44 •1594次阅读

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。

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FindRF 发表于 02-13 11:13 •7437次阅读

单晶硅刻蚀与多晶硅刻蚀的区别在哪？

磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨气(NH3)这两种副产品都可以溶于水。LOCOS工艺的场区氧化层生成....

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FindRF 发表于 02-13 11:11 •2679次阅读

湿法刻蚀工艺的流程包括哪些？

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液....

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FindRF 发表于 02-10 11:03 •4833次阅读

刻蚀工艺基础知识简析

刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。

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FindRF 发表于 02-06 15:06 •5235次阅读

湿法和干法刻蚀图形化的刻蚀过程讨论

刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形化刻蚀，这种刻蚀能将....

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FindRF 发表于 02-01 09:09 •2089次阅读

等离子体工艺回顾

在ICP反应室中加入射频偏压系统就可以产生自偏压并控制离子的轰击能量。由于在高密度等离子体中的离子轰....

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FindRF 发表于 01-15 14:45 •1589次阅读

半导体行业：等离子工艺（十一）

电介质薄膜经常使用氧气溅射刻蚀反应室进行某些处理，例如在间隙填充前首先在间隙边缘形成倾斜的侧壁，以及....

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FindRF 发表于 01-08 10:19 •894次阅读

半导体制造之等离子工艺详解

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。

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FindRF 发表于 12-29 17:28 •1756次阅读

CVD过程中的等离子工艺

CVD过程中，不仅在晶圆表面出现沉积，工艺室的零件和反应室的墙壁上也都会有沉积。

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FindRF 发表于 12-27 15:34 •1931次阅读

半导体行业：等离子工艺（七）

下图显示了在一个不对称电极等离子体源中的电压情况，这两个电极具有不同面积。电流的连续性将产生所谓的自....

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FindRF 发表于 12-19 15:11 •4585次阅读

磁场中的带电粒子介绍

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速....

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FindRF 发表于 12-07 17:00 •2904次阅读

等离子第一个电子是从哪里及如何产生的？

当两个电极通过射频高电压时，它们之间就产生一个交流电场。如果射频功率足够高，自由电子受到交流电场的影....

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FindRF 发表于 11-21 10:24 •2325次阅读

加热工艺发展趋势

RTCVD过程可以用来沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在浅沟槽隔离工艺中使用CVD氧化硅填充沟槽。

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FindRF 发表于 11-08 09:52 •708次阅读

RTO工艺的流程图

RTCVD过程是在一个单晶圆、冷壁式的反应室中进行的加热CVD工艺，具有快速改变温度并精确控制温度....

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FindRF 发表于 11-01 10:05 •2988次阅读

中国信通院实验室顺利完成了5G R17版本的 RedCap实验室测试

本次测试采用中信科移动商用基站和必博科技5G RedCap终端原型验证平台，按照IMT-2020(5....

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FindRF 发表于 10-27 11:31 •1211次阅读

双端口谐振器的Q值提取方法

微波谐振器是微波工程里使用非常普遍的一类无源器件，它可以构成振荡器、滤波器的一部分，也可以用于各种测....

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FindRF 发表于 10-10 11:28 •6117次阅读