上回我们讲到了在1959年，杰克·基尔比在半导体材料锗上面制作出了世界上第一个集成电路芯片，标志着半....
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FindRF 发表于 10-07 14:54
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书接上回。我们提到了真空管的诞生催生了集成电路行业的发展，但是最初的真空管由于其体积较大、寿命较短、....
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FindRF 发表于 09-24 14:46
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在本节中，我们将逐一阐述半导体发展的历史性产品和世界主流半导体制程的代际演进过程。从半导体主要制造阶....
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FindRF 发表于 09-22 10:35
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闪存芯片是非挥发存储芯片，广泛用于电子产品，特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GP....
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FindRF 发表于 09-11 09:32
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在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示....
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FindRF 发表于 09-04 09:32
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内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NA....
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FindRF 发表于 09-01 09:43
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掺杂少量铂元素的镍硅化物的稳定性也不尽相同，还与物质的具体结构有关，举个例子来说，NiPtSi，比N....
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FindRF 发表于 08-27 09:18
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下图(a)中的沉积块状层是必需的，这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀，....
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FindRF 发表于 08-25 09:50
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三、 无源器件的大功率实时测量方法 无源器件的大功率性能可以通过其在大功率条件下S参数的变化量来....
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FindRF 发表于 08-21 09:29
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对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k....
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FindRF 发表于 08-14 10:22
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使用重离子可以形成源/漏扩展(SDE)浅结(见下图),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE....
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FindRF 发表于 08-07 09:41
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所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表....
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FindRF 发表于 08-04 09:52
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有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟....
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FindRF 发表于 07-31 10:13
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CMOS集成电路芯片加工技术的几个主要发展发生在20世纪90年代。
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FindRF 发表于 07-28 10:52
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因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对....
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FindRF 发表于 07-24 17:05
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在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B1....
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FindRF 发表于 07-21 10:18
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如果你是个跑步爱好者，你一定希望在运动过程中实时监测自己的心率，而不是在运动结束后再用秒表来测量心率....
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FindRF 发表于 07-15 09:10
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与高电压或电流接触会引起电击、烧伤、肌肉和神经损伤、心脏麻痹以及死亡。大约1mA的电流通过心脏就可能....
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FindRF 发表于 07-14 10:02
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光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极，从而可以检测....
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FindRF 发表于 07-10 08:56
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掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，....
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FindRF 发表于 07-07 09:51
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对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备，大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面，这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁....
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FindRF 发表于 06-30 10:11
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阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体....
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FindRF 发表于 06-09 11:31
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当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电....
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FindRF 发表于 06-04 16:38
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使用负偏压的萃取电极将离子从离子源内的等离子体中抽出，并将其加速到大约50keV的能量。
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FindRF 发表于 05-29 09:37
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高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子....
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FindRF 发表于 05-26 14:44
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高温炉广泛用于进行注入后的热退火。高温炉的退火处理是一个批量过程，在850摄氏度至1000摄氏度情况....
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FindRF 发表于 05-22 09:56
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高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构，并在晶圆表面附近产生非晶态层。
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FindRF 发表于 05-19 09:22
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离子在非晶态材料内的投影射程通常遵循高斯分布，即所谓的常态分布。单晶硅中的晶格原子整齐排列，而且在特....
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FindRF 发表于 05-15 09:01
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离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程，不发生化学反应....
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FindRF 发表于 05-12 16:00
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离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立....
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FindRF 发表于 05-08 11:19
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