在完成选择性氧化制程后，通常会将蚀刻后残留在磊晶片表面继续作为氧化制程保护层的 SiO2或 SiNx....
采用氧化局限技术制作面射型雷射元件最关键的差异在于磊晶成长时就必须在活性层附近成长铝含量莫耳分率高于....
制作氧化局限面射型雷射与蚀刻空气柱状结构一样都需要先将磊晶片进行蚀刻，以便暴露出侧向蚀刻表面（etc....
为了改善上述蚀刻柱状结构以及离子布植法制作面射型雷射的缺点，在1994年从德州大学奥斯丁分校获得博士....
目前市场上普遍采用的面射型雷射元件主流技术为选择性氧化法，绝大多数面射型雷射操作特性纪录均是由选择性....
由于蚀刻柱状结构有上述金属电极制作困难且需要额外的蚀刻制程步骤等问题，因此早期业界及学术研究单位最常....
半导体材料被蚀刻移除后，剩余的柱状结构与周遭的空气之间折射率差异也因此增加，因此在柱状结构中电子电洞....
其中蚀刻空气柱法将大多数可以导通电流的半导体材料以物理性或化学方式蚀刻移除后，仅保留直径数微米至数十....
从前面一小节对半导体雷射线宽的讨论可以知道，即使半导体雷射操作在稳态的状况下，还是会有因为自发辐射所....
从前面的例子中，可以知道线宽增强因子会让半导体雷射在动态操作时谱线变宽，接下来我们要讨论的是半导体雷....
为要了解半导体雷射的大信号响应，我们先针对单模雷射的速率方程式求解，我们将使用线性增益近似以及考虑到....
当半导体雷射从阈值条件以下要达到雷射的操作，其主动层中的载子必须要先达到阈值载子浓度才会有雷射光输出....
从（4-40）式我们知道，要达到高的弛豫频率，光子生命期要小而阈值电流要低，然而这两个因素是互相冲突....
（4-25） 式为我们可以量测得到的半导体雷射调制响应。将之取对数乘上10之后，其单位即为 dB，如....
最常见的半导体雷射调制是如图4-1 的直接电流调制，半导体雷射偏压操作在固定的电流值I0上，欲输入的....
典型的VCSEL 结构主要由p型 DBR、n 型 DBR与光学共振腔所组成。上下 DBR提供纵向的光....
由于 VCSEL 共振腔的体积非常小，可以称之为微共振腔（micro-cavity），因为要达到阈值....
VCSEL相较于传统的边射型雷射而言，另一项重要的区分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
进一步考量到 DBR 的设计时，虽然界面平整的异质结构可以提供较大而明显的折射率差异以达到较高的 D....
相较于传统边射型半导体雷射的发展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的设计概念直到1979年首先被I....
共振腔中雷射光来回（round trip）振荡后保持光学自再现（self-consistency）的....
在半导体中，光子的放射是由电子和电洞借由垂直跃迁所达成的，我们可以把具有相同k值的电子一电洞看成一种....
一个基本的半导体雷射如图2-1所示，包含了两个平行劈裂镜面组成的共振腔，称为Fabry-Perot ....
早期面射型雷射由于半导体磊晶技术简在发展初期阶段，因此还无法直接成长反射率符合雷射操作需求的全磊晶导....
早期所谓的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本质上仍然是边射型雷射....
LASER是“light amplification by stimulated emission ....
CMOS 工艺技术平台的电容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
CMOS 工艺平台的金属方块电阻的测试结构包含该平台的所有金属层，例如如果该平台使用五层金属层，那么....
CMOS工艺平台的Poly 方块电阻有四种类型的电阻，它们分别是n型金属硅化物 Poly 方块电阻、....
图5-34所示为PW方块电阻的版图，图5-35所示为它的剖面图。PW方块电阻是通过DNW 隔离衬底（....
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