主侧墙和N+/P+源漏的形成
首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮....
高K介质（High-k Dielectric)和替代金属栅(RMG)工艺介绍
高k介质（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等）模块....
自对准硅化物 (Self -Aligned Silicide) 工艺
形成多晶硅栅和源漏之后，先用湿法或干法清除在有源区 (AA)和多晶硅栅表面的氧化物，溅射一薄层（厚度....
前段集成工艺（FEOL）
其制造工艺流程如下：首先形成补偿侧墙 (Offset Spacer)，经n+/p+轻掺杂源漏后，选择....
前段集成工艺（FEOL）-4
在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD....
嵌入式源漏选择性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）
源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露....
应变硅（Strained Silicon）
根据应变的作用方向差异，应变还可以分为双轴应变（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y两个....
双重图形化技术（Double Patterning Technology，DPT）
SADP 技术先利用浸没式光刻机形成节距较大的线条，再利用侧墙图形转移的方式形成 1/2 节距的线条....
铝/铜互连工艺与双镶嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）
铝/铜互连工艺是指将前段工艺制备的晶体管连接起来的工艺。硅片上的金属互连工艺过程是应用化学方法和物理....
接触孔工艺（Contact Process）
接触孔工艺是集成电路制造中的关键工艺，也是技术难度最高的工艺之一。接触孔的尺寸是集成电路工艺中最小的....
集成电路芯片制造中的3种硅化物工艺介绍
为了降低接触电阻和串联电阻，在集成电路制造中引入了硅化物工艺，业界先后采用了可规模生产的 WSi2 ....
高K金属栅工艺（HKMG）
目前，高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造，它在相同功耗情况下可以....
多晶硅栅（Poly-Si Gate）
多晶硅栅光刻工艺使用的光刻机是同一技术代集成电路工艺线中最先进、最昂贵的设备，它采用 UV 光源进行....
沟道工艺（Channel Process）
沟道工艺是集成电路的核心工艺之一，它确定了场效应晶体管的基本特性，如阈值电压、短沟道特性、噪声特性、....
模块工艺——隔离工艺（Isolation）
最早的隔离技术是 pn 结隔离，因为加上反向偏压，pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是，由于其需要....
CMOS集成电路的双阱工艺简析
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
模块工艺——双阱工艺（Twin-well or Dual-Well）
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別....
湿法刻蚀和清洗（Wet Etch and Cleaning）
湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀....
干法刻蚀和清洗（Dry Etch and Cleaning）
干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子....
外延工艺（Epitaxy）
固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入....
化学机械抛光工艺（Chemical Mechanical Polishing，CMP）
CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液（又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End....
原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）
由于 ALD 技术逐层生长薄膜的特点，所以 ALD 薄膜具有极佳的合阶覆盖能力，以及极高的沉积均匀性....
化学气相沉积工艺（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相....
物理气相沉积及溅射工艺（PVD and Sputtering）
物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD)工艺是指采用物理方法，如....
退火工艺（Thermal Annealing）介绍
通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子....
等离子体掺杂（Plasma Doping）
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 P....
集成电路制造工艺中的氧化工艺（Oxidation Process）
湿氧氧化化学反应式为H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在湿氧工艺中，可在氧气中直接携....
计算光刻技术的发展
计算光刻 (Computational Lithography)技术是指利用计算机辅助技术来增强光刻....
牺牲层技术大致包含哪几个步骤
牺牲层技术自20世纪80 年代美国加州大学伯克利分校开发至今，得到了快速发展。牺牲层技术是 MEMS....
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