从（4-40）式我们知道，要达到高的弛豫频率，光子生命期要小而阈值电流要低，然而这两个因素是互相冲突....
（4-25） 式为我们可以量测得到的半导体雷射调制响应。将之取对数乘上10之后，其单位即为 dB，如....
最常见的半导体雷射调制是如图4-1 的直接电流调制，半导体雷射偏压操作在固定的电流值I0上，欲输入的....
典型的VCSEL 结构主要由p型 DBR、n 型 DBR与光学共振腔所组成。上下 DBR提供纵向的光....
由于 VCSEL 共振腔的体积非常小，可以称之为微共振腔（micro-cavity），因为要达到阈值....
VCSEL相较于传统的边射型雷射而言，另一项重要的区分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
进一步考量到 DBR 的设计时，虽然界面平整的异质结构可以提供较大而明显的折射率差异以达到较高的 D....
相较于传统边射型半导体雷射的发展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的设计概念直到1979年首先被I....
共振腔中雷射光来回（round trip）振荡后保持光学自再现（self-consistency）的....
在半导体中，光子的放射是由电子和电洞借由垂直跃迁所达成的，我们可以把具有相同k值的电子一电洞看成一种....
一个基本的半导体雷射如图2-1所示，包含了两个平行劈裂镜面组成的共振腔，称为Fabry-Perot ....
早期面射型雷射由于半导体磊晶技术简在发展初期阶段，因此还无法直接成长反射率符合雷射操作需求的全磊晶导....
早期所谓的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本质上仍然是边射型雷射....
LASER是“light amplification by stimulated emission ....
CMOS 工艺技术平台的电容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
CMOS 工艺平台的金属方块电阻的测试结构包含该平台的所有金属层，例如如果该平台使用五层金属层，那么....
CMOS工艺平台的Poly 方块电阻有四种类型的电阻，它们分别是n型金属硅化物 Poly 方块电阻、....
图5-34所示为PW方块电阻的版图，图5-35所示为它的剖面图。PW方块电阻是通过DNW 隔离衬底（....
CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方....
虽然 WAT测试类型非常多，不过业界对于 WAT测试类型都有一个明确的要求，就是包括该工艺技术平台所....
WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的缩写，意思是晶圆接受测试，业界也称WAT....
顶层金属 AI工艺是指形成顶层金属 AI 互连线。因为 Cu很容易在空气中氧化，形成疏松的氧化铜，而....
IMD4 工艺是形成 TMV （Top Metal VIA，顶层金属通孔）的介质隔离材料，同时IMD....
IMD3工艺包括 IMD3a工艺和IMD3b工艺。IMD3a 工艺是形成 VIA2 的介质隔离材料，....
接触孔工艺是指在 ILD 介质层上形成很多细小的垂直通孔，它是器件与第一层金属层的连接通道。通孔的填....
IMD1工艺是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....
金属层1工艺是指形成第一层金属互连线，第一层金属互连线的目的是实现把不同区域的接触孔连起来，以及把不....
ILD 工艺是指在器件与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD介质层可以有效地隔离金属互....
Salicide 工艺是指在没有氧化物覆盖的衬底硅和多晶硅上形成金属硅化物，从而得到低阻的有源区和多....
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提....
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